从主流晶圆厂 Q2 招中标数据,看国产设备厂商的突破

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近年来,受芯片供应短缺以及通讯、汽车电子等产业强劲需求的推动,国内晶圆厂纷纷选择扩产,导致设备需求量攀升,国内设备厂商有望迎来更多机遇。

集微网消息,近年来,受芯片供应短缺以及通讯、汽车电子等产业强劲需求的推动,国内晶圆厂纷纷选择扩产,导致设备需求量攀升,国内设备厂商有望迎来更多机遇。

据集微咨询(JW Insights)统计,中国大陆共有 23 座 12 英寸晶圆厂正在投入生产总计月产能约为 104.2 万片,与总规划月产能 156.5 万片相比,这些晶圆厂的产能装载率仅达到 66.58%,有较大扩产空间。

在产能扩产方面,上海积塔半导体、华虹半导体等企业纷纷加入其中。据澎湃新闻 5 月 5 日报道,日前,上海积塔半导体明确将在上海临港新片区投资二期项目,新增固定资产投资预计超 260 亿。华虹半导体于 5 月 12 日发布公告称,拟募资 180 亿元,其中约 70%(125 亿元)投资于华虹制造无锡项目;约 11%(20 亿元)用于 8 英寸晶圆厂房优化升级项目;约 13%(25 亿元)用于工艺技术创新研发项目;约 6%(10 亿元)用于补充营运资金。

随着上海积塔半导体、华虹半导体等企业产线加速建设,带动了对半导体设备的极大需求。集微网根据招标平台数据整理统计,上海积塔半导体、华虹半导体等企业需求贡献主要增量。今年二季度,上海积塔半导体、华虹半导体、燕东微电子、杭州积海半导体等企业合计招标 1930 台设备

从设备类型来看,刻蚀、薄膜沉积等核心设备需求较大。其中,光刻设备 4 台,刻蚀设备 49 台,薄膜沉积 74 台,工艺检测 80 台,离子注入 21 台,CMP20 台,热处理 36 台,清洗设备 79 台,涂胶显影 14 台。

从国内招标企业来看,今年二季度,上海积塔半导体共招标 714 台设备,刻蚀设备、薄膜沉积、清洗设备是其重点采购对象;华虹半导体共招标 108 台设备,刻蚀设备、热处理采购数量较多;燕东微电子共招标 89 台;其他企业合计招标 1019 台。

从国内中标的设备厂商来看,集微网根据招标平台数据整理统计,今年二季度,北方华创、中微半导体、芯源微、Tokyo Electron(东京电子)、ASML 等企业合计中标 643 台设备,其中,国产设备厂商合计中标 387 台设备。

北方华创共中标 80 台设备,中微半导体共中标 22 台设备,芯源微共中标 24 台,屹唐半导体共中标 12 台,拓荆科技共中标 11 台,中科飞测共中标 7 台,上海微电子共中标 6 台,华海清科共中标 8 台;从国外设备厂商来看,ASML 共中标 7 台设备,泛林半导体共中标 16 台设备,KLA 共中标 18 台设备,应用材料共中标 21 台设备,东京电子共中标 87 台设备。

设备国产替代正当其时,从主要环节来看,国产光刻、刻蚀、薄膜沉积等多点开花,都有不同层面的突破。

在光刻环节,ASML 中标 5 台光刻机,占据行业主导地位上海微电子中标 1 台步进式光刻机。据了解,上海微电子 SSX600 系列步进扫描投影光刻机可满足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 关键层和非关键层的光刻工艺需求。此外,今年 2 月,上海微电子成功交付首台 2.5D\3D 先进封装光刻机,这对国内集成电路行业有着很大的意义。

在刻蚀环节,北方华创和中微半导体合计中标 38 台刻蚀设备,超过泛林半导体与东京电子的总和 19 台。北方华创中标 16 台刻蚀设备,分别为上海积塔 13 台、株洲中车时代 1 台、北京大学 1 台、上海新微半导体 1 台。北方华创 ICP(电感耦合等离子体)刻蚀技术优势明显,其自主研发的 14 纳米等离子硅刻蚀机已成功进入主流项目产线。

中微半导体中标 22 台刻蚀设备,分别为华虹半导体 13 台、上海积塔 8 台、株洲中车时代 1 台。中微半导体 CCP(容性耦合等离子体)刻蚀技术精良,已覆盖 65 纳米至 5 纳米,在 5 纳米以下也进展顺利,其 2021 年总共生产交付了 298 腔 CCP 刻蚀设备,产量同比增长 40%。

在薄膜沉积环节,拓荆科技中标 11 台薄膜沉积设备,略低于泛林半导体与应用材料的总和 15 台。拓荆科技主要产品系列为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备,广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上制程集成电路制造产线,并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试。

目前,国内晶圆厂正进入加速建设期,国产设备厂商渗透率虽有所不足,但已开始奋起直追,光刻、刻蚀、薄膜沉积、涂胶显影等多环节突破,北方华创、中微半导体、拓荆科技等设备厂商订单激增,进步明显。

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