南亚科 12 英寸新晶圆厂今日动工,预计 2025 年装机量产 10nm DRAM 芯片

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完成后月产能达 4.5 万片规模,将采用自主研发的 10 纳米级制程技术生产 DRAM 芯片。

集微网消息,南亚科今(23)日举行 12 英寸新厂动工典礼,计划投资 3000 亿元新台币,目标 2025 年开始装机量产。

南亚科指出,新厂位于新北市泰山南林科学园区,规划分三阶段进行扩建,完成后月产能达 4.5 万片规模,将推出采用自主研发的 10 纳米级制程技术生产 DRAM 芯片。

据悉,南亚科总经理吴嘉昭曾表示,DRAM 是所有电子产品智能化的关键元件,是半导体产业极为重要的一环,所以投资兴建先进晶圆厂,让南亚科不仅成为中国台湾的 DRAM 领导者,更是全球关键存储器供应商。

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